- примесный переход
- примесный переход м. Störstellenübergang m
Большой русско-немецкий полетехнический словарь. 2009.
Большой русско-немецкий полетехнический словарь. 2009.
ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… … Физическая энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
НЕСОХРАНЕНИЕ ЧЁТНОСТИ В ЯДРАХ — отсутствие определённой чётности ядерных волновых ф ций по отношению к пространств, отражению (Р инверсип), т. е. по отношению к одноврем. изменению направлений всех координатных осей на противоположные (см. Чётность). Причиной Н. ч. в я.… … Физическая энциклопедия
ЗАХВАТ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — в полупроводниках переход электрона из зоны проводимости на примесный уровень в запрещённой зоне полупроводника либо с примесного уровня в валентную зону (последний случай удобнее рассматривать как переход дырки из валентной зоны на примесный… … Физическая энциклопедия
Концентрационное переохлаждение — Концентрационным переохлаждением (КП) называют явление, которое возникает при направленной кристаллизации расплава, содержащего примесь, и заключающееся в том, что в результате перераспределения примеси в расплаве перед фронтом кристаллизации… … Википедия
ПОЛУПРОВОДНИКИ — в ва, характеризующиеся увеличением электрич. проводимости с ростом т ры. Хотя часто П. определяют как в ва с уд. электрич. проводимостью а, промежуточной между ее значениями для металлов (s ! 106 104 Ом 1 см 1) и для хороших диэлектриков (s ! 10 … Химическая энциклопедия
КВАНТОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ — усилитель эл. магн. волн радиодиапазона, основанный на вынужденном излучении возбуждённых атомов, молекул, ионов. Эффект усиления в К. у. связан с изменением энергии внутриат. эл. нов, движение к рых подчиняется законам квант. механики. Поэтому,… … Физическая энциклопедия
ГИГАНТСКИЕ СИЛЫ ОСЦИЛЛЯТОРА — возникают, когда оптически создаваемый экситон рождается в связанном состоянии. Это может быть связанное состояние экситона с примесным центром (экситонно примесный комплекс ЭПК) либо с др. квазичастицей (с др. экситоном, магноном, фононом и др.) … Физическая энциклопедия
Физика твёрдого тела — Физика твёрдого тела раздел физики конденсированного состояния, задачей которого является описание физических свойств твёрдых тел с точки зрения их атомарного строения. Интенсивно развивалась в XX веке после открытия квантовой механики.… … Википедия
РЕКОМБИНАЦИОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ — (рекомбина ционная люминесценция) люминесценция полупроводника (и диэлектриков), обусловленная рекомбинацией неравновесных электронов и дырок. В отличие от др. видов люминесценции, под Р. и. понимают процесс, к рому предшествует образование… … Физическая энциклопедия